| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 107 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 38 W |
| 输入电容 | 350 pF |
| 栅电荷 | 9.40 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 105 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 38 W |
| 下降时间 | 39 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 38W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60v \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 16v 最大漏极电流Id Drain Current| 11A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.107Ω/Ohm @8A,5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 38W Description & Applications| 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs These N-Channel enhancement-mode power MOSFETs are manufactured using the latest manufacturing process technology. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Features • 11A, 60V • rDS(ON) = 0.107Ω • Temperature Compensating PSPICE Model • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve • Related Literature TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards 描述与应用| 11A，60V，0.107欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 这些N沟道增强型功率MOSFET 采用最新的制造工艺制造 技术。这个过程中，它使用特征尺寸 接近那些LSI电路，提供了最佳的利用 硅，产生的优秀性能。他们 设计用于在应用，如开关 稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器 驱动程序。这些晶体管可以工作直接从集成电路 •温度补偿的PSPICE模型 •峰值电流与脉冲宽度曲线 •UIS等级曲线 •相关文献 TB334“指南焊锡表面装载 组件到PC板
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11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Intersil（英特矽尔）
12A ， 60V ， 0.150 Ohm的N通道功率MOSFET 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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ON Semiconductor（安森美）
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
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