类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 12.0 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 60 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 200 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 60 W |
阈值电压 | 2 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅源击穿电压 | ±10.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
上升时间 | 70 ns |
输入电容值(Ciss) | 900pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 60 W |
下降时间 | 80 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 60000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.83 mm |
高度 | 9.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Intersil(英特矽尔)
12A , 80V和100V , 0.200 Ohm的N通道功率MOSFET 12A, 80V and 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFP12N10L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 100 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP12N10L, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Intersil(英特矽尔)
12A , 100V , 0.200欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
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