类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.022 Ω |
功耗 | 131 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
上升时间 | 55 ns |
输入电容值(Ciss) | 2020pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 131 W |
下降时间 | 13 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 131 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.83 mm |
高度 | 9.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
MegaFET MOSFET,Fairchild Semiconductor
●MegaFET 工艺使用接近 LSI 集成电路的特征尺寸,对硅进行了最佳利用,从而获得出色的性能。
●### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFP50N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
50A , 50V , 0.022欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
50A , 50V , 0.022 Ohm的N通道功率MOSFET 50A, 50V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
50A , 60V , 0.022 Ohm的N通道功率MOSFET 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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