| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.5A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.55Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Low On-resistance. High speed switching. 描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 高速开关
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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