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RHP030N03T100
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RHP030N03T100 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-89-3
描述:N 沟道 500 mW 30 V 120 mOhm 表面贴装 4 V MOSFET - MPT-3
PDF文件:RHP030N03T100 数据手册 (4 页)
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RHP030N03T100 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流3.00 A
封装SOT-89-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻160 mΩ
极性N-Channel
功耗2 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)300 mA
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)160pF @10V(Vds)
额定功率(Max)500 mW
下降时间4.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)500mW (Ta)
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RHP030N03T100 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度4.5 mm
宽度2.5 mm
高度1.5 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RHP030N03T100 数据手册

RHP030N03T100 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4 页 / 1.21 MByte
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