| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.2A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60v \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20v 最大漏极电流Id Drain Current| 2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.2Ω/Ohm @20A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. High speed switching. Wide SOA. 描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 高速开关。 宽SOA
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
5 页 / 0.17 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
5 页 / 0.06 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
N 沟道 200 mW 60 V 2.4 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - UMT-3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RHU002N06FRAT106 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RHU002N06 N沟道MOSFET 60v 2A SOT-89 marking/标记 KP RF放大器/CATV调谐器/低噪声/高功率
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
