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RJH60F5BDPQ-A0#T0
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RJH60F5BDPQ-A0#T0 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:Renesas Electronics（瑞萨电子）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
PDF文件:RJH60F5BDPQ-A0#T0 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
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RJH60F5BDPQ-A0#T0 数据手册 (9 页)
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RJH60F5BDPQ-A0#T0 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗260400 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间25 ns
额定功率(Max)260.4 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)260400 mW
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RJH60F5BDPQ-A0#T0 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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RJH60F5BDPQ-A0#T0 数据手册

RJH60F5BDPQ-A0#T0 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
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