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RJK0454DPB
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RJK0454DPB 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:Renesas Electronics（瑞萨电子）
分类:MOS管
封装:SC-100
描述:RENESAS  RJK0454DPB  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 3.9 mohm, 10 V
PDF文件:RJK0454DPB 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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RJK0454DPB 数据手册 (7 页)
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RJK0454DPB 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数5 Pin
封装SC-100
针脚数5 Position
漏源极电阻3.9 mΩ
极性N-Channel
功耗55 W
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间5.2 ns
输入电容值(Ciss)2000pF @10V(Vds)
下降时间6.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)55000 mW
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RJK0454DPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃
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RJK0454DPB 数据手册

RJK0454DPB 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
7 页 / 0.13 MByte

RJK0454 数据手册

RJK0454DPB-00#J5 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
N沟道 40V 40A
RJK0454DPB 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
RENESAS  RJK0454DPB  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 3.9 mohm, 10 V
RJK0454DPB-00-J5 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
40V ，40A， 4.9米最大值。硅N通道功率MOS FET电源开关 40V, 40A, 4.9m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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