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RJK0656DPB
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RJK0656DPB 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:Renesas Electronics（瑞萨电子）
分类:MOS管
封装:SC-100
描述:RENESAS  RJK0656DPB  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 4.5 mohm, 10 V
PDF文件:RJK0656DPB 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
引脚图
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RJK0656DPB 数据手册 (7 页)
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RJK0656DPB 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数5 Pin
封装SC-100
针脚数5 Position
漏源极电阻4.5 mΩ
极性N-Channel
功耗65 W
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间9 ns
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)65000 mW
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RJK0656DPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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RJK0656DPB 数据手册

RJK0656DPB 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
7 页 / 0.14 MByte

RJK0656 数据手册

RJK0656DPB-00#J5 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
RENESAS  RJK0656DPB-00#J5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 4.5 mohm, 10 V
RJK0656DPB-00-J5 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
60V ， 40A ， 5.6米最大。硅N通道功率MOS FET电源开关 60V, 40A, 5.6m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK0656DPB 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
RENESAS  RJK0656DPB  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 4.5 mohm, 10 V
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