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RJK6002DPD
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RJK6002DPD 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:Renesas Electronics（瑞萨电子）
封装:MP-3A
描述:硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
PDF文件:RJK6002DPD 数据手册 (4 页)
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RJK6002DPD 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装MP-3A
极性N-CH
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)2A
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)165pF @25V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)30000 mW
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RJK6002DPD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
材质Silicon
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RJK6002DPD 数据手册

RJK6002DPD 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
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