| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-89 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.165 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V
●\---|---
●最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V
●最大漏极电流Id Drain Current| 2A
●源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.24mA,@3A,4.5V
●开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.5V
●耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W
●Description & Applications| 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Low On-resistance. Low voltage drive (2.5V drive)
●描述与应用| 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 低电压驱动（2.5V驱动器）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RJP020N06 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 LS 低栅极电荷/最小化驱动器损失/DC-DC转换器
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RJP020N06T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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