最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.24mA,@3A,4.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Low On-resistance. Low voltage drive (2.5V drive) 描述与应用| 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 低电压驱动(2.5V驱动器)
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