| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 漏源极电阻 | 2.20 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200 mA |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 18pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 下降时间 | 7 ns |
| 耗散功率(Max) | 200mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.8 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 60 V 200mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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RJU002N06 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 ML 电源供应器/转换器/桥电路
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N-沟道 200 mW 60 V 3.1 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - UMT-3
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ROHM RJU002N06FRAT106 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
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