最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 300mA/0.3A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1.1Ω/Ohm @300mA,4.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Low voltage drive (2.5V drive). 描述与应用| 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 低电压驱动(2.5V驱动器)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM RJU003N03T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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ROHM RJU003N03FRAT106 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 300 mA, 30 V, 0.8 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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RJU003N03 N沟道MOSFET 30V 300mA/0.3A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 LP 电源供应器/转换器/桥电路
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