类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 300 mA |
封装 | UMT-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 1.1 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 200 mW |
阈值电压 | 1.5 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 300 mA |
上升时间 | 4 ns |
输入电容值(Ciss) | 24pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 200 mW |
下降时间 | 32 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 300mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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RJU003N03 N沟道MOSFET 30V 300mA/0.3A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 LP 电源供应器/转换器/桥电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM RJU003N03T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM RJU003N03FRAT106 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 300 mA, 30 V, 0.8 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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