| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 8.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 150 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 20 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.00 A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 520pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 20 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 20W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 5.5 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 8A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.15Ω/Ohm @4A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 20W Description & Applications| 10V Drive Nch MOSFET Silicon N-channel MOSFET Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA (safe operating area). Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel. 描述与应用| 10V驱动N沟道MOSFET 硅N沟道MOSFET 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用
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小开关（ 60V ， 8A ） Small switching (60V, 8A)
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10V驱动N沟道MOSFET硅N沟道MOSFET低导通电阻。开关速度快。宽安全工作区（SOA）低电压驱动。轻松驱动电路设计。易于并联使用
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10V驱动N沟道MOS FET 10V Drive Nch MOS FET
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