最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V
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●最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V
●最大漏极电流Id Drain Current| 300mA/0.3A
●源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1.0Ω/Ohm @300mA,10v
●开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V
●耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W
●Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET transistor Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA (safe operating area). Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel.
●描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET晶体管 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用
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RK7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKM 低的RDS/栅极电荷
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N沟道 60 V 0.2 W 表面贴装 2.5 V 驱动 硅 功率 Mosfet - SOT-23
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ROHM RK7002T116 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V
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2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
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晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V
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场效应管(MOSFET) RK7002AT116 SOT-23-3
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RK7002A N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKS 快速开关/低RDS
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2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
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