| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 300 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 1.10 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 300 mA |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 33pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 下降时间 | 80 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RK7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKM 低的RDS/栅极电荷
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
N沟道 60 V 0.2 W 表面贴装 2.5 V 驱动 硅 功率 Mosfet - SOT-23
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RK7002T116 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V
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场效应管(MOSFET) RK7002AT116 SOT-23-3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RK7002A N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKS 快速开关/低RDS
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2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
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