| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | FSM |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 集电极最大允许电流 | 50mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 20V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 50mA 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 60 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.05W/50mW Description & Applications| Features • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the number of parts, which enables the manufacture of ever more compact equipment and saves assembly cost. • Complementary to RN2102FS 描述与应用| 特性 •开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用 结合成晶体管的偏置电阻器，可以减少部件的数量，从而使制造的更加紧凑的设备，节省组装成本。 •对管是RN2102FS
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RN1102 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-523/ESM marking/标记 XB 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用
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数字晶体管 RN1102MFV,L3F SOT-723
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
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RN1102F 带阻尼NPN三极管 50V 0.1A R1=R2=10KΩ HEF=50 250MHZ SOT523 代码 XB
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RN1102MFV 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益50 SOT-723/VESM marking/标记 XB 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用
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RN1102CT 20V 50MA R1=R2=10KΩ HEF=60 SOT883 代码 L1 带阻尼三极管
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RN1102FS 带阻NPN三极管 20V 50mA 10k 10k 增益60 FSM marking/标记 L1 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用
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