| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-563 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 50 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation | 100mW/0.1W Description & Applications | Features • TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) • Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact equipment and lowers assembly cost. • Complementary to RN2901FE to RN2906FE APPLICATIONS • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 描述与应用 | 特点 •东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程）（偏置电阻内置晶体管）•两个设备都纳入一个极端超迷你（6针）封装。 •将偏置电阻晶体管，减少了部件数量。减少部件数量，使能制造的更加紧凑的设备，并降低装配成本。 •互补RN2901FE的到RN2906FE 应用 •开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
RN1902 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 50 200mW/0.2W SOT-363/US6/SC70-6 标记XB 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Toshiba（东芝）
三极管(BJT) RN1902,LF(CT SOT363
Toshiba（东芝）
RN1902FE NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA HEF=50 R1=R2=10KΩ 100mW/0.1W SOT-563/ES6 标记XB 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Toshiba（东芝）
RN1902FS NPN+NPN复合带阻尼三极管 20V 50mA HEF=60 R1=R2=10KΩ 50mW SOT-963/FS6 标记F1 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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