| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | FSM |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 集电极最大允许电流 | 50mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -20V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -50mA 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 60 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.05W/50mW Description & Applications| Features •Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) •Bias Resistor built-in Transistor •Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save assembly cost. •Complementary to RN1101FS~RN1106FS Applications •Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 描述与应用| 特点 •晶体管的硅PNP外延型（PCT工艺） •内置偏置电阻晶体管 •将偏置电阻晶体管，减少了部件数量。减少零件数，使制造更加紧凑的设备和节省组装成本。 •互补RN1101FS的〜RN1106FS 应用 •开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用
Toshiba（东芝）
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RN2102 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 50 0.1W/100mW SOT-523/SC-75/SSM 标记YB 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
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RN2102MFV 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 50 0.15W/150mW SOT-723/VESM 标记YB 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
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RN2102F 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 50 0.1W/100mW SOT-523/ESM 标记YB 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
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RN2102FT 带阻尼PNP三极管 -50V -0.1A R1=R2=10KΩ SOT623 代码 YB
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RN2102FS 带阻尼PNP三极管 -20V -50mA 60 0.05W/50mW FSM 标记U1 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
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