集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 80mA/-80mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 80 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 耗散功率Pc Power Dissipation | 50mW Description & Applications | Features • TOSHIBA Transistor Silicon NPN
●PNP Epitaxial Type(PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) • Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact equipment and lowers assembly cost. Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. 描述与应用 | 特点 •东芝晶体管的硅NPN
●PNP外延型的（PCT进程）内置-在晶体管的（偏置电阻） •的有两台设备成一个罚款的俯仰小型模具（6 - 针）程序包注册成立。 •将偏置电阻晶体管，减少了部件数量。减少部件数量，能够制造更加紧凑的设备和降低装配成本。 应用 •开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用
Toshiba（东芝）
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RN4984 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 80 200mW/0.2W SOT-363/US6/SC70-6 标记6D 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 6Pin 47Kohms
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RN4984FE NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA HEF=80 R1=R2=47KΩ 100mW/0.1W SOT-563/ES6 标记6D 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
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RN4984AFS NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 80mA/-80mA HEF=80 R1=R2=47KΩ 50mW SOT-963/FS6 标记V3 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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RN4984FS NPN+PNP复合带阻尼三极管 20V/-20V 50mA/-50mA HEF=120 R1=R2=47KΩ 50mW SOT-963/FS6 标记6D 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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