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RQ1E050RPTR
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RQ1E050RPTR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSMT-8
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.022 ohm, -10 V, -2.5 V
PDF文件:RQ1E050RPTR 数据手册 (13 页)
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RQ1E050RPTR 数据手册 (13 页)
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RQ1E050RPTR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装TSMT-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.022 Ω
极性P-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)30 V
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)1300pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1.5 W
下降时间50 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)700mW (Ta)
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RQ1E050RPTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Discontinued at Digi-Key
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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RQ1E050RPTR 数据手册

RQ1E050RPTR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
13 页 / 2.36 MByte
RQ1E050RPTR 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
12 页 / 2.36 MByte

RQ1E050 数据手册

RQ1E050RPTR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.022 ohm, -10 V, -2.5 V
RQ1E050RPTR 数据手册
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