| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TSMT-8 |
| 漏源极电阻 | 0.019 Ω |
| 极性 | P |
| 漏源极电压(Vds) | -30V |
| 连续漏极电流(Ids) | -7A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流Id Drain Current | -7A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | ID=3.5A, VGS=4.0V RDS=19~27mΩ 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -1~-2.5v 耗散功率Pd Power dissipation | 1.5w 描述与应用 Description & Applications | 1)较低的导通电阻。 2)高功率包。 3)4 v驱动。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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