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RQ3E120BNTB
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RQ3E120BNTB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:HSMT-8
描述:ROHM   RQ3E120BNTB  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:RQ3E120BNTB 数据手册 (14 页)
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RQ3E120BNTB 数据手册 (14 页)
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RQ3E120BNTB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装HSMT-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0066 Ω
极性N-Channel
功耗2 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)30 V
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)1500pF @15V(Vds)
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2W (Ta)
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RQ3E120BNTB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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RQ3E120BNTB 数据手册

RQ3E120BNTB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
14 页 / 2.33 MByte
RQ3E120BNTB 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
12 页 / 2.44 MByte

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ROHM   RQ3E120BNTB  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 2.5 V
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