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RQ3E150GNTB
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RQ3E150GNTB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:HSMT-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:RQ3E150GNTB 数据手册 (13 页)典型应用电路图在12 页
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RQ3E150GNTB 数据手册 (13 页)
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RQ3E150GNTB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装HSMT-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0047 Ω
极性N-Channel
功耗2 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)15A
上升时间5.8 ns
输入电容值(Ciss)850pF @15V(Vds)
下降时间7.8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2W (Ta), 17.2W (Tc)
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RQ3E150GNTB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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RQ3E150GNTB 数据手册

RQ3E150GNTB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
13 页 / 2.41 MByte
RQ3E150GNTB 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
12 页 / 1.01 MByte

RQ3E150 数据手册

RQ3E150GNTB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V
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