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RQ3E180BNTB
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RQ3E180BNTB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:PowerVDFN-8
描述:场效应管(MOSFET) RQ3E180BNTB HSMT-8
PDF文件:RQ3E180BNTB 数据手册 (14 页)典型应用电路图在12 页
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RQ3E180BNTB 数据手册 (14 页)
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RQ3E180BNTB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerVDFN-8
功耗2 W
输入电容值(Ciss)3500pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)2W (Ta), 20W (Tc)
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RQ3E180BNTB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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RQ3E180BNTB 数据手册

RQ3E180BNTB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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