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RRH140P03GZETB
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RRH140P03GZETB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOP-8
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -2.5 V
PDF文件:RRH140P03GZETB 数据手册 (13 页)
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RRH140P03GZETB 数据手册 (13 页)
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RRH140P03GZETB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOP-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.005 Ω
极性P-Channel
功耗2 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)14A
上升时间80 ns
输入电容值(Ciss)8000pF @10V(Vds)
下降时间200 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)650mW (Ta)
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RRH140P03GZETB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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RRH140P03GZETB 数据手册

RRH140P03GZETB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
13 页 / 0.54 MByte
RRH140P03GZETB 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
13 页 / 0.75 MByte

RRH140P03 数据手册

RRH140P03TB1 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
P沟道 30V 14A
RRH140P03GZETB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -2.5 V
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