类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-163 |
漏源极电阻 | 0.038 Ω |
极性 | P |
漏源极电压(Vds) | -30V |
连续漏极电流(Ids) | -4.5A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 53mΩ@ VGS = -4V, ID = -2.2A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1~-2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| 4V Drive Pch MOSFET Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. 3) High speed switching. Application Switching 描述与应用| 4V驱动P沟道MOSFET 特点 1)低导通电阻。 2)高功率封装。 3)高速开关。 应用 开关
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