| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TSMT |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.025 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RRQ045P03 P沟道MOS场效应管 -30V -4.5A 53毫欧 SOT-153 marking/标记 UB 低导通电阻 高功率封装 高速开关
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
P-沟道 30 V 35 mOhm 1.25 W 表面贴装 Mosfet - T表面贴装-6
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -2.5 V
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