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RS1G120MNTB
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RS1G120MNTB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:HSOP-8
描述:N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
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RS1G120MNTB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装HSOP-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0116 Ω
极性N-Channel
功耗25 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)12A
上升时间4.3 ns
输入电容值(Ciss)570pF @20V(Vds)
下降时间3.2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta), 25W (Tc)
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RS1G120MNTB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
宽度5.8 mm
高度1 mm
工作温度150℃ (TJ)
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