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RSD080N06TL
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RSD080N06TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:RSD080N06TL 数据手册 (8 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
RSD080N06TL 数据手册 (8 页)
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RSD080N06TL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.057 Ω
极性N-Channel
功耗15 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)380pF @10V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)15W (Tc)
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RSD080N06TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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RSD080N06TL 数据手册

RSD080N06TL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
8 页 / 0.55 MByte
RSD080N06TL 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
7 页 / 0.51 MByte

RSD080N06 数据手册

RSD080N06TL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V
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