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RSD100N10TL
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RSD100N10TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.095 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:RSD100N10TL 数据手册 (7 页)
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RSD100N10TL 数据手册 (7 页)
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RSD100N10TL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.095 Ω
极性N-Channel
功耗20 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)20 W
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)20W (Tc)
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RSD100N10TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Discontinued at Digi-Key
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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RSD100N10TL 数据手册

RSD100N10TL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
7 页 / 0.56 MByte
RSD100N10TL 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.09 MByte
RSD100N10TL 产品封装文件
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.07 MByte
RSD100N10TL 产品手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
38 页 / 10.45 MByte

RSD100N10 数据手册

RSD100N10TL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.095 ohm, 10 V, 2.5 V
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