Datasheet 搜索 > MOS管 > ROHM Semiconductor（罗姆半导体） > RSE002N06TL Datasheet 文档
RSE002N06TL
来自 AiPCBA

RSE002N06TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-416
描述:场效应管(MOSFET) RSE002N06TL SOT-416
PDF文件:RSE002N06TL 数据手册 (7 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
RSE002N06TL 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

RSE002N06TL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-416
极性N-CH
功耗0.15 W
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)0.25A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)15pF @25V(Vds)
额定功率(Max)150 mW
下降时间28 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150mW (Ta)
查看数据手册 >

RSE002N06TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
高度0.7 mm
工作温度150℃ (TJ)
查看数据手册 >

RSE002N06TL 数据手册

RSE002N06TL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
7 页 / 0.65 MByte
RSE002N06TL 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
7 页 / 0.13 MByte
RSE002N06TL 产品封装文件
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.07 MByte

RSE002N06 数据手册

RSE002N06 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
RSE002N06TL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
场效应管(MOSFET) RSE002N06TL SOT-416
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet