最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.9Ω @-200mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0--2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features Low On-resistance. Small package (EMT3). 4V drive. 描述与应用| 低导通电阻。 小型封装（EMT3）。 4V驱动器。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM
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场效应管(MOSFET) RSE002N06TL SOT-416
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RSE002P03 P沟道MOS场效应管 -30V -2A 0.9ohm SOT-363 marking/标记 WP 低导通电阻 4V驱动
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2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
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