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RSH070P05GZETB
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RSH070P05GZETB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOP-8
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -45 V, 0.019 ohm, -10 V, -2.5 V
PDF文件:RSH070P05GZETB 数据手册 (15 页)
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RSH070P05GZETB 数据手册 (15 页)
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RSH070P05GZETB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOP-8
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻19 mΩ
极性P-Channel
功耗2 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)45 V
漏源击穿电压45 V
连续漏极电流(Ids)7A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)4100pF @10V(Vds)
下降时间50 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)2W (Ta)
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RSH070P05GZETB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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RSH070P05GZETB 数据手册

RSH070P05GZETB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
15 页 / 2.56 MByte
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