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RSJ650N10TL
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RSJ650N10TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:RSJ650N10TL 数据手册 (8 页)封装尺寸在1 页
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RSJ650N10TL 数据手册 (8 页)
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RSJ650N10TL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
针脚数3 Position
漏源极电阻9.1 mΩ
极性N-Channel
功耗100 W
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)65A
上升时间170 ns
输入电容值(Ciss)10780pF @25V(Vds)
额定功率(Max)100 W
下降时间480 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)100W (Tc)
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RSJ650N10TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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RSJ650N10TL 数据手册

RSJ650N10TL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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RSJ650N10 数据手册

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