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RSM002P03T2L
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RSM002P03T2L 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-723-3
描述:P 沟道 0.15 W -30 V 2.4 Ohm 表面贴装 4 V 驱动 开关 MosFet - VMT-3
PDF文件:RSM002P03T2L 数据手册 (12 页)典型应用电路图在12 页
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RSM002P03T2L 数据手册 (12 页)
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RSM002P03T2L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-200 mA
封装SOT-723-3
通道数1 Channel
漏源极电阻1.6 Ω
极性P-Channel
功耗150 mW
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)200 mA
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)30pF @10V(Vds)
额定功率(Max)150 mW
下降时间40 ns
耗散功率(Max)150mW (Ta)
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RSM002P03T2L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度1.2 mm
宽度0.8 mm
高度0.45 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RSM002P03T2L 数据手册

RSM002P03T2L 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
12 页 / 1.77 MByte
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RSM002P03T2 数据手册

RSM002P03T2L 数据手册
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P 沟道 0.15 W -30 V 2.4 Ohm 表面贴装 4 V 驱动 开关 MosFet - VMT-3
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