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RSQ030P03TR
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RSQ030P03TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
描述:P 通道 30 V 80 mΩ 1.25 W 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6
PDF文件:RSQ030P03TR 数据手册 (5 页)封装尺寸在1 页
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RSQ030P03TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-30.0 A
封装TSOT-23-6
漏源极电阻0.1 Ω
极性P-Channel
功耗1.25W (Ta)
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)440pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1.25 W
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.25W (Ta)
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RSQ030P03TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Discontinued at Digi-Key
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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RSQ030P03TR 数据手册

RSQ030P03TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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