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RSR020N06FRATL 数据手册 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
制造商:
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
封装:
TSMT
描述:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
RSR020N06FRATL 数据手册
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RSR020N06FRATL 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TSMT
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.12 Ω
功耗
1 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
180pF @10V(Vds)
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
RSR020N06FRATL 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
RSR020N06FRATL 符合标准
RSR020N06 数据手册
RSR020N06
数据手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4V驱动N沟道MOS FET 4V Drive Nch MOS FET
RSR020N06
TL
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