最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.085Ω @-2A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0--2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| Features Low On-resistance Space saving small surface mount package (TSMT3) 4V drive 描述与应用| 低导通电阻 节省空间的小型表面贴装封装（TSMT3） 4V驱动器
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM RSR020P05FRATL 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -2 A, -45 V, 0.13 ohm, -10 V, -3 V
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场效应管(MOSFET) RSR020P05TL TSMT-3
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RSR020P03 P沟道MOS场效应管 -30V -2A 0.085ohm SOT-23 marking/标记 WZ 低导通电阻 4V驱动
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4V驱动N沟道MOS FET 4V Drive Nch MOS FET
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