| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 0.083 Ω |
| 极性 | N |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.5A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 最小包装数量 | 3000 |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @2.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1W Description & Applications| Switching (30V, 2.5A) Power switching, DC / DC converter. Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT3) . 描述与应用| 开关（30V，2.5A） 电源开关，DC / DC变换器 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管 小和表面贴装封装
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4 页 / 0.06 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4 页 / 0.06 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RSR025N03TL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RSR025P03FRATL 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V 新
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RSR025N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 QY 计算负载/功率开关/DC-DC转换
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RSR025P03 P沟道MOS场效应管 -30V 2.5A 0.070ohm SOT-23 marking/标记 WY 低导通电阻 4V驱动
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RSR025N03FRATL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 2.5 V 新
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RSR025N05FRATL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 45 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.5 V 新
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4V驱动N沟道MOS FET 4V Drive Nch MOS FET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
