| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -2.50 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 115 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 460pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 0.85 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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RSR025P03 P沟道MOS场效应管 -30V 2.5A 0.070ohm SOT-23 marking/标记 WY 低导通电阻 4V驱动
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ROHM RSR025P03FRATL 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V 新
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