| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOP-8 |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 6.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 48mΩ@ VGS =4V, ID =6.5A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1~2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2W Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package . Applications Switching 描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 特点 1）低导通电阻。 2）内置G-S的保护二极管。 3）小型表面贴装封装。 应用 开关
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RSS065N06FW6TB1 N沟道MOSFET 60V 6.5A sop8 marking/标记 RSS065N06 无二次击穿/高速开关/高输入阻抗
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