最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.0Ω @-200mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features Low On-resistance. Small package (EMT3). 2.5V drive. 描述与应用| 低导通电阻。 小型封装（EMT3）。 2.5V驱动器
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2.5V驱动P沟道MOS FET 2.5V Drive Pch MOS FET
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RTE002P02F P沟道MOS场效应管 -20V 200mA 1.0ohm SOT-523 marking/标记 TW 低导通电阻 2.5V驱动
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