| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -200 mA |
| 封装 | SOT-416-3 |
| 漏源极电阻 | 2 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 150 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200 mA |
| 上升时间 | 6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 mW |
| 下降时间 | 45 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not For New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 1.6 mm |
| 宽度 | 0.8 mm |
| 高度 | 0.7 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 20 V 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
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2.5V驱动P沟道MOS FET 2.5V Drive Pch MOS FET
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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RTE002P02F P沟道MOS场效应管 -20V 200mA 1.0ohm SOT-523 marking/标记 TW 低导通电阻 2.5V驱动
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