| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-323 |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.24Ω/Ohm @1.5A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| Switching (30V, 2.5A) Silicon N-channel MOS FET Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT3) . 描述与应用| 开关（30V，2.5A） 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管 小和表面贴装封装
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内置G -S保护二极管。 Built-in G-S Protection Diode.
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低导通电阻。 （570mΩ在2.5V）高功率封装。高速开关。低电压驱动
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