| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 2.50 A |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 48 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 800 mW |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 270pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 800mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 0.77 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 2.5A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RTF025N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 PL ESD保护门/低VDS
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
N-沟道 0.8 W 30 V 98 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RTF025N03FRATL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
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