最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 250mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7~-2V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| 2.5V Drive Pch MOS FET Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. Applications DC-DC converter 描述与应用| 2.5V驱动P沟道MOS FET 特点 1）低导通电阻。 2）高功率封装。 3）高速开关。 4）低电压驱动。 应用 DC-DC转换
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM RTL020P02FRATR 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -20 V, 0.1 ohm, -4.5 V, -2 V 新
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RTL020P02 P沟道MOS场效应管 -20V -2A 250毫欧 SOT-363 marking/标记 WU 低导通电阻 高速开关 低电压驱动
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