| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 3.50 A |
| 封装 | TUMT-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 79 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.50 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 0.77 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM
●### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RTL035N03 N沟道MOSFET 30V 3.5A TUMT6/SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 marking/标记 pm 低噪声/高增益/高AGC范围
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RTL035N03TR 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 79 mohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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